AWS5522是N-MOSFET栅极驱动器，用于通过CMOS逻辑电平输入控制N-MOSFET开关的延迟开启及源极电压转换速率（典型值2V/ms）的斜率调节。该器件内部集成电荷泵，可显著降低静态功耗，待机状态下静态电流典型值小于5μA。作为高效节能型高级电源管理系统中开关电压轨的配套控制元件，AWS5521同时集成开路电压轨放电电路，并内置电源良好监测模块，用以检测外部N-MOSFET的工作状态。

AWS5521是N-MOSFET栅极驱动器，用于通过CMOS逻辑电平输入控制N-MOSFET开关的延迟开启及源极电压转换速率（典型值2V/ms）的斜率调节。该器件内部集成电荷泵，可显著降低静态功耗，待机状态下静态电流典型值小于5μA。作为高效节能型高级电源管理系统中开关电压轨的配套控制元件，AWS5521同时集成开路电压轨放电电路，并内置电源良好监测模块，用以检测外部N-MOSFET的工作状态。

AWK6606是一款60V/6A 高效率、小尺寸异步降压 DC-DC 芯片，内置 85mΩ 高边MOSFET。
芯片支持5.8V~60V 超宽输入电压范围，可输出最高 6A 连续负载电流；同时具备15μA低静态电流与1μA 超低关断电流。凭借优异的电气性能，可完美适配12V、24V、48V工业及通信设备，亦适用于高压大负载、多串电池供电类应用场景。

AWP1920是一款具有2.3V超低输入电压的压电陶瓷驱动芯片，关断电流常温下不高于200nA，并可通过PWM占空比选择输出正弦波的幅度及频率。为实现热管理压电微泵的技术普及，芯享程继AWP1921后推出AWP1920-无需MCU控制，在输入2.3V后可输出最大180Vpp、250Hz的正弦波，以减少外围电路，简化使用方式及降低成本。在此情况下依然能保持极低的功耗-带载10nF电容下播放180Vpp、200Hz的正弦波，输出功耗仅56mW。得益于其极低的输入电压，AWP1920可充分释放锂电池内的电量。

AWK4573支持3.4V-60V宽输入电压，可提供3A连续输出电流；同时实现低功耗优化，输入静态电流低至30μA，关断电流仅1.5μA。凭借优异的电气特性，AWK4573既可完美适配 12V、24V、48V工业与通信设备，亦是高电压、大负载多串电池供电场景(如:物联网传感器、机器人等)的理想方案

具有低至5.5μA的超低无负载输入静态电流、0.75V超低输入启动电压的同步升压型DC-DC芯片，AWT6722提出全新架构和创新技术，实现效率> 86.5%@1mA~10mA，可以广泛适用于由单节、两节或三节碱性电池、镍镉电池、镍氢电池供电且对效率有需求的应用场景，同时也兼容单节锂离子或锂聚合物电池供电方案。

具有数字控制逻辑的压电陶瓷驱动器，在输入2.3V-5.5V范围内，最高可输出190Vpp的差分信号。可通过I2C实时修改输出波形的频率以及幅值。

具有数字控制逻辑的压电陶瓷驱动器，在输入2.3V-5.5V范围内，最高可输出190Vpp的差分信号。可通过I2C实时修改输出波形的频率以及幅值，也可通过芯享程首创的Autoplay功能，实现上电后以固定频率、固定幅值自动输出波形。

具有3-36V的宽输入电压范围，且内部集成高达3A电流能力的MOSFET，可适用于高压输入、小尺寸、高功率密度应用场景

具有1mA静态电流的2.3V~20V/3A低压差线性稳压器芯片

具有5μA静态电流的、42V/3A车规级同步降压型芯片。作为公司高性能DC-DC芯片的典型代表，AWK6809融合了先进技术和创新设计，专为工业和汽车市场提供高性能、低功耗、卓越EMI特性的解决方案。

具有3-36V的宽输入电压范围，且内部集成高达2A电流能力的MOSFET，可适用于高压输入、小尺寸、高功率密度应用场景

近期荣幸地宣布推出其最新力作—45V 内部集成功率管 boost/sepic/flyback转换器 AWT5157。作为公司高性能DCDC芯片的典型代表，AWT5157融合了先进技术和创新设计，专为工业和汽车市场提供高性能的升降压解决方案。

用于开关稳压器的通用低边N沟道MOSFET控制器

具有5μA静态电流的、3-36V的宽输入电压范围，且内部集成高达2A/3A电流能力的MOSFET，可适用于高压输入、小尺寸、高功率密度应用场景同步降压型芯片

具有1mA静态电流的2.3V~20V/1.5A低压差线性稳压器芯片

近期荣幸地宣布推出其最新力作——4.5V到60V零温漂低失调电压低噪声运算放大器 AWS8611。作为公司高性能运算放大器芯片的典型代表，AWS8611融合了先进技术和创新设计，结合反馈网络共同实现信号稳定、放大，减法、积分和微分等功能，为精密数据采集，高精度自动化控制和生命体征精准监控等领域提供支持。